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    PN8308电源电路ic

    PN8308电源电路ic

    更新时间:2019-11-19   浏览数:110
    所属行业:电子 电子产品设计
    发货地址:广东省深圳市南山区南山街道前海妈湾社区  
    产品规格:
    产品数量:1000.00个
    包装说明:
    单 价:面议
    PN8308H在系统启动阶段,输出电压比较低时,芯片内 置MOS体二极管作为次级的续流二极管。当VCC 电压达到VCCon时,芯片开始工作;当VCC电压低到 VCCoff时,芯片停止工作,芯片内置MOS体二极管 作为次级的续流二极管继续工作。

    PN8308内置高开关速度智能MOSFET,进一步加快关断速度,集成了控制器及功率MOSFET,控制器实时跟踪功率MOSFET电流,实现50ns内快速关断,有效解决了CCM模式同步整流的技术的精确关断。

    PN8308H采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的,从而提高转换效率,可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压,降低电源本身发热。

    PN8308外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片,被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。

    PN8308H适用于输出电压9-15V的电源,内置80V智能功率MOSFET。

    PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,内置电压降极低的功率MOSFET,以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,常用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
    PN8308H在芯片控制 MOSFET 开启初期,MOSFET 的 漏端有较大的干扰信号,为了避免干扰信号导致芯 片误触发关断信号,芯片加入了屏蔽时间。在屏蔽 时间内,芯片关断值会提高。在屏蔽时间结束后, 芯片关断值会恢复正常值。
    PN8308H同步整芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
    PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度,实现电源小型化,并降低系统成本。以12V3A电源为例,TO220肖特基+散热片(25mm*17mm)可被SOP8同步整流(10mm*10mm)取代,功率密度提高4倍以上。

    PN8308H芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流 功能,当芯片检测到Vds小于开启阈值时,控制器驱 动功率MOSFET开启,此时Vgs达到大值。随着 Isd电流的减小,芯片检测到Isd达到调整阈值区, 芯片会根据Isd的减小幅度来降低Vgs。当原边开关 管导通时,Ids突变达到关断阈值,控制器将快速 关断功率MOSFET。